快恢复二极管

快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。

什么是快恢复二极管

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快恢复二极管符号

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快恢复二极管工作原理

快恢复二极管工作原理:

快恢复二极管的内部结构是在 P 型硅材料与 N 型硅材料中间增加了基区 I，构成 PIN 硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了 TRR 值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。

快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr 可低至几十纳秒。20A 以下的快恢复及超快恢复二极管大多采用 TO-220 封装形式。

加负电压（或零偏压）时，快恢复二极管等效为电容+电阻；加正电压时，快恢复二极管等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择快恢复二极管参数的方法，使短路的阶梯脊波导的反射相位（基准相位）与加正电压的 PIN 管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压（或 0 偏置）的快恢复二极管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反（-164°～+164°之间即可）。

快恢复二极管的内部结构与普通 PN 结二极管不同，它属于 PIN 结型二极管，即在 P 型硅材料与 N 型硅材料中间增加了基区 I，构成 PIN 硅片。

因为 PD 的主要有源区是势垒区，所以展宽势垒区即可提高灵敏度。p-i-n 结快恢复二极管实际上也就是人为地把 p-n 结的势垒区宽度加以扩展，即采用较宽的本征半导体（i）层来取代势垒区，而成为了 p-i-n 结。

快恢复二极管作用是具有反向阻断时高耐压低漏电流，正向低通态电阻大电流的特点。由于作为开关使用，因此一般需要其开关速度较快。另外，适当选择续流二极管的特性，尤其是反向恢复特性，如反向恢复时间和反向恢复软度，能够显著减少开关器件、二极管和其他电路元件的功耗，并减小由续流二极管引起的电压尖峰、电磁干扰，从而尽量减少甚至去掉吸收电路。

一般来说，快恢复二极管的正向压降小，0.4V 左右，而普通的硅管在 0.6V 左右，为了降低损耗才用快恢复二极管。