74LS04

74LS04是一个数字控制开关芯片的型号。

74LS04 中文资料

74ls04 是带有 6 个非门的芯片,是六输入反相器,也就是有 6 个反相器,它的输出信号与输入信号相位相反。六个反相器。共用电源端和接地端,其它都是独立的。输出信号手动负载的能力也有一定程度的放大。

74LS04 是一个数字控制开关芯片简单来说里面就是几个电子开关电路由外部信号控制内部开关状态,在节日彩灯中起控制彩灯按设的顺序亮和灭的作用。

引脚图及功能

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工作原理

74LS04 是六个单输入端的反相器 . 它的输出信号与输入信号相位相反 . 六个反相器 . 共用电源端和接地端,其它都是独立的 . 输出信号手动负载的能力也有一定程度的放大 .

反相器是可以将输入信号的相位反转 180 度,这种电路应用在模拟电路,比如说音频放大,时钟震荡器等。在电子线路设计中,经常要用到反相器。CMOS 反相器电路由两个增强型 MOS 组成。典型 TTL 与非门电路电路由输入级、中间级、输出级组成。

内部结构

典型 TTL 与非门电路电路组成

输入级——晶体管 T1 和电阻 Rb1 构成。

中间级——晶体管 T2 和电阻 Rc2、Re2 构成。

输出级——晶体管 T3、T4、D 和电阻 Rc4 构成,推拉式结构,在正常工作时,T4 和 T3 总是一个截止,另一个饱和。

CMOS 反相器电路它由两个增强型 MOS 场效应管组成,其中 V1 为 NMOS 管,称驱动管,V2 为 PMOS 管,称负载管。 NMOS 管的栅源开启电压 UTN 为正值,PMOS 管的栅源开启电压是负值,其数值范围在 2~5V 之间。为了使电路能正常工作,要求电源电压 UDD>(UTN+|UTP|)。UDD 可在 3~18V 之间工作,其适用范围较宽。

作用和用途

CMOS 反相器凭借其互补结构所具备的优势成为于数字电路设计中应用最广泛的一种器件。CMOS 反相器是由 n-MOSFET 与 p-MOSFET 组成的互补推拉式结构,n-MOSFET 作为驱动管(下拉管),p-MOSFET 作为负载管(上拉管)。包含 p-n-p-n 寄生结构的 CMOS 基本结构示意图,两个晶体管的栅极连接在一起,作为信号输入端;两个晶体管的衬底分别与它们的源极连接在一起,n-MOSFET 的源极接地 GND,p-MOSFET 的源极接电源电压 Vdd;n-MOSFET 与 p-MOSFET 的漏极连接在一起作为反相器的输出端。为了在集成电路中制造 n-MOSFET 和 p-MOSFET,必须形成绝缘的 p 衬底区和 n 衬底区,因此,CMOS 集成电路中具有 n 阱、p 阱和双阱这三种工艺,本文针对 n 阱工艺下 CMOS 反相器进行研究,即在重掺杂的 p 型衬底硅上先生长一层轻掺杂 p 型外延层,然后通过 n 阱扩散工艺形成 n 阱,之后再制作场氧化层和栅氧化层,利用杂质注入的方式形成源漏区和高掺杂扩散区,最后淀积和刻蚀出金属化电极并对器件表面进行一定程度的钝化保护。这种情况下 CMOS 结构内部会形成寄生的 n-p-n 双极型晶体管 Q1 和 p-n-p 双极型晶体管 Q2,Rsub 和 Rwell 代表 p 型衬底电阻和 n 阱电阻。在实际应用时,CMOS 反相器电路可能还会包含诸如静电放电(electrostatic discharge, ESD)保护电路、闩锁防护电路以及输入施密特整形电路等其它附属电路。

关于 HPM 效应的实验主要有两种方法,即辐照法和注入法。辐照法是指 HPM 以空间电磁波方式对目标电子系统进行辐照,得到的是电子系统的 HPM 效应阈值。辐照法主要针对电子系统,能够比较真实地模拟实际应用环境中电子系统的 HPM 电磁辐射环境,是获取电子系统整机 HPM 效应阈值的最有效手段;但是这种方法也存在缺点,为了较为真实地模拟实际情况,实验要求较高:微波波束需要覆盖整个目标电子系统,并且照射强度均匀,这就要求微波源辐射天线与效应物之间的距离不能太小,但是通常实验需要在特定的微波暗室中进行,实验空间有限,难以满足辐照均匀的要求。

另外,辐照实验从 HPM 源到电子系统内部元器件须经过电磁传输和耦合等复杂过程,不利于对电子系统 HPM 效应机理进行分析。注入法是指 HPM 以传导方式注入目标效应物的敏感端口,观测其瞬态响应。注入法主要针对单元电路或器件,更适合于 HPM 效应规律、效应机理及敏感环节研究。注入法相对于辐照法更容易实现,对实验环境的要求相对较低,可以在普通实验室完成,主要需要解决两个问题:一是减小注入通道的微波驻波系数,提高微波注入效率,使更多的微波功率进入目标电路或器件;二是要做好微波源和效应目标之间的隔离,避免相互影响和破坏,主要隔离措施有衰减、高通 / 低通滤波和隔离等。

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作者:网友投稿
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来源:轩哥技术分享
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